Características de los Circuitos Lógicos MOS

CARACTERISTICAS DE LOS CIRCUITOS LÓGICOS MOS

A continuación se especificaran algunas de las características a comparación de las familias  bipolares: velocidad de operación: Es mucho más lenta, una compuerta Nand- Nmos común tiene un tiempo de retraso en la propagación de 50ns , lo cual se debe a dos factores: La resistencia de salida alta de 100 KΩ en el estado Alto y la carga capacitativa representada por la entrada de los circuitos lógicos manejados.

• Margen de Ruido: Frecuentemente los márgenes de ruido que ocasiona el NMos están alrededor de 1.5 v.

• Factor de Carga: Debido a la resistencia de entrada bastante alta en cada entrada de los mosfet, se esperaría que el factor de carga fuesen limitadas, pero sin embargo, para frecuencias altas alrededor de 100 khz, la capacitancia de entrada de la compuerta produce un deterioro  en el tiempo de conmutación, que se aumentan en proporción al número de cargas conducidas, esta lógica puede operar mejor con un factor de carga de 50 lo que hace que sea mejor las familias bipolares.

• Consumo de Potencia: Los Mos consumen cantidades mínimas de potencia a causa de las resistencias correspondientemente grandes que son utilizadas.

• Complejidad del Proceso: Es la más fácil de fabricar de las familias ya que utiliza solo un complemento básico, un transistor N-mos, no requiere de otros elementos.

• Sensibilidad Estática: Los dispositivos en mayor o menor cantidad, son sensibles a daños por electricidad estática, estas familias son bastantes aptos a carga electrostática a comparación de las bipolares, esto es consecuencia de la muy alta impedancia de entrada que caracteriza  a las mosfet, una pequeña carga electrostática que circule por estas altas impedancias puede dar origen a voltajes peligrosos, este mismo flujo de carga en una impedancia relativamente baja de una entrada TTl y ECl produce un voltaje mínimo y menos dañino.